奖种：科学技术进步奖
项目名称：新型高可靠非易失性存储器（NVSRAM）芯片关键技术及应用
提名单位： 长沙高新技术产业开发区管理委员会
提名等级： 二等奖或三等奖
主要完成人：
  1. 刘祥远
  2. 蔡磊
  3. 杨国庆
  4. 傅祎晖
  5. 陈强
  6. 林少波
  7. 徐欢
  8. 杨柳江
主要完成单位：
  1. 湖南融创微电子股份有限公司
湖南省科学技术奖励工作办公室